绍兴“闪存芯片”入选“中国科学十大进展”，有多厉害？

速度比传统闪存快100万倍！3月25日，2025年度“中国科学十大进展”正式发布，复旦大学、绍芯实验室周鹏-刘春森团队完成的“全功能二维半导体/硅基混合架构异质集成闪存芯片”成功入选，绍兴再添国家级荣誉。

在当前大数据与人工智能时代，传统存储器在速度与功耗方面逐渐成为算力提升的瓶颈。2025年4月，周鹏-刘春森团队在《Nature》发表“破晓（PoX）”二维闪存原型器件，实现400皮秒超快非易失存储，创下半导体电荷存储技术的速度纪录。

“破晓（PoX）”皮秒闪存器件

为破解二维电子器件从实验室原型走向规模化工程应用的集成工艺与系统设计等难题，团队以自主研发的“破晓（PoX）”为核心，将其与成熟硅基CMOS工艺深度融合，成功研制“长缨（CY-01）”二维—硅基混合架构闪存芯片，打通了新型二维信息器件从原型到产业化的关键瓶颈。

封装后的“长缨（CY-01）”二维-硅基混合架构闪存芯片(带PCB板)

该芯片基于CMOS电路控制二维存储核心完成全片测试，支持8-bit指令操作、32-bit高速并行操作与随机寻址，良率高达94.3%，存储速度、能效与可靠性显著超越现有Flash闪存技术，为AI、大数据、边缘计算等场景突破“存储墙”瓶颈提供了全新技术路径。

国际顶尖期刊《Nature》

相关成果已以《全功能二维-硅基混合架构闪存芯片》（A full-featured 2D flash chip enabled by system integration）为题，发表于国际顶尖期刊《Nature》。

绍芯实验室将以此为契机，持续深耕二维半导体、存算一体等前沿方向，聚力攻关核心技术，为我国集成电路产业高质量发展与科技自立自强作出更大贡献。

“中国科学十大进展”遴选活动

“中国科学十大进展”遴选活动由国家自然科学基金委员会主办，国家自然科学基金委员会高技术研究发展中心承办。自2005年启动以来已举办21届，是我国基础研究领域最具权威的年度评选。

2025年度遴选活动从600多项基础研究成果中遴选出30项候选进展，经3000余位专家（含480余位两院院士）实名投票产生10项进展，由自然科学基金委咨询委员会审议，最终确定入选名单。

（内容来源：绍芯实验室）